陶瓷学报

2017, (05) 626-630

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高纯硅粉固相阶段氮化特征的研究

乔瑞庆;白星亮;王超;肖丽;

摘要(Abstract):

高纯硅粉氮化和普通硅粉氮化过程具有明显差别,在相同氮化时间,高纯硅粉氮化率明显低于普通硅粉;高纯硅粉氮化具有明显阶段性特征,可分为反应形核期、快速氮化期,速率减缓期和缓慢氮化期,而普通硅粉氮化的阶段性并不明显;高纯硅粉氮化前期产物以α-Si_3N_4相为主,在氮化后期,前期生成的氮化硅阻隔了氮气和硅粉直接接触,氮化明显变慢,产物主要为β-Si_3N_4,晶粒生长主要发生在基面上,而柱面生长缓慢,晶粒呈长径比较大的细长棒状。普通硅粉氮化时氮化硅晶粒生长不仅发生在基面,同时也发生在柱面上,前期生成的氮化硅并不能阻隔氮气和硅粉直接接触,其产物始终以α-Si_3N_4相为主,氮化硅颗粒的形状从短柱状至长柱状都有分布,柱面和基面同时生长是氮化较快的主要原因。

关键词(KeyWords): 高纯硅粉;普通硅粉;固相;阶段性

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(51472167)

作者(Author): 乔瑞庆;白星亮;王超;肖丽;

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