陶瓷学报

2018, (06) 690-695

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AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究

付润定;庄德津;修向前;谢自力;陈鹏;张荣;郑有炓;

摘要(Abstract):

对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合Stranski-Krastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。

关键词(KeyWords): AlN单晶;化学机械抛光;AlGaN;Stranski-Krastanow生长模式;应变梯度模型

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201);; 固态照明与节能电子学协同创新中心;; 江苏高校优势学科建设工程资助项目;; 国网山东电力公司技术开发基金

作者(Author): 付润定;庄德津;修向前;谢自力;陈鹏;张荣;郑有炓;

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